微电子

半导体生产的气体纯化应用资料

标题 感兴趣的子工艺 工艺改进 产品优点 涉及产品
应用范例
颇尔 Gaskleen 纯化器的优点之一 - 无方向要求 (PDF)  不可用 
  • 无论垂直放置还是水平放置,都可获得相同的去污能力
  • 减少气体管道的污染
  • 压降降低
  • 反应时间更短 
  • 较低的总拥有成本
  • 净化成本降低
     
干蚀刻工艺应用说明 (PDF) 
  • 湿蚀刻工艺
  • 活性离子蚀刻 (RIE)
  • 各向异性蚀刻
  • 磁性增强活性离子蚀刻机 (MERIE)
  • 电子回旋共振 (ECR)
  • 溅射
  • 纯化学蚀刻
  • 离子增强能源驱动蚀刻
  • 离子增强抑制剂蚀刻 
  • 增强对干蚀刻工艺变化的控制
  • 更高的蚀刻速率
  • 减少溅射和等离子体诱导的表面损伤
  • 产量更高
  • 工具的正常运行时间增加
  • 较低的总拥有成本 
原子层沉积 (ALD) 工艺的使用点 (POU) 气体纯化 (PDF)
  • 薄膜沉积
  • 保形膜沉积
  • 物理气相沉积 (PVD)
  • 化学气相沉积 (CVD)
  • 防止 ALD 反应器的气体污染物 
  • 提高产量
  • 降低运行成本
     
预外延沉积蚀刻 (PDF) 
  • 氯化氢 (HCI) 气相蚀刻
  • 硅片蚀刻 
  • 将水分降至低水平可防止促进多晶硅生长和导致分配系统腐蚀的缺陷。
  • 无水面金属氧化物或电路短路缺陷
  • 室温操作,无需外部加热或冷却 
  • 高效去除颗粒,无需额外的系统组件
  • 较低的总拥有成本 
通过安装使用点 (POU) 颇尔净化器防止介质等离子蚀刻工艺中的污染 (PDF)
  • 氧化物沉积
  • 光刻
  • 各向异性蚀刻工艺
  • 滤除大量气体杂质,以降至低于 1 ppb(十亿分之)
  • 更高的工艺一致性
  • 更高的工艺产量 
通过利用颇尔 Gaskleen SP 总成保护半导体加工中的氧气传感器 (PDF)
  • 快速热处理 (RTP)
  • 原子层沉积 (ALD)
  • 外延化学气相(外延 CVD)
  • 物理气相沉积 (PVD) 
  • 防止废气流中的氧传感器产生污垢
  • 大大延长了校准间隔时间
  • 尽量减少昂贵的工具停机时间
  • 降低运行成本
清除硅外延工艺中硅烷气体所含的硅氧烷杂质 (PDF) 
  • 快速热处理 (RTP)
  • 原子层沉积 (ALD)
  • 外延化学气相沉积(外延 CVD) 
  • 物理气相沉积 (PVD)
  • 防止氧气传感器产生污垢
  • 延长了校准间隔时间
  • 清除保护氧气传感器的颗粒污染
  • 传感器使用期限增加
  • 尽量减少昂贵的工具停机时间
  • 降低总成本
利用颇尔 Gaskleen CO 纯化器防止介质等离子蚀刻工艺中的金属羰基化合物和水分污染 (PDF) 
  • 氧化物沉积
  • 光刻
  • 各向异性蚀刻
  • 水分和金属羰化物的滤除率提高
  • 晶片镍污染减少
  • 降低总成本 
技术文章
评估用于氯化氢气体的纯化器(含新型纯化介质)的分析方法 (PDF) 
  • 用于蚀刻和处理室清洁的半导体装置的制造
  • 预外延沉积蚀刻 
  • 从氯化氢 (HCI) 气体中滤除水分的效率提高 
不可用 
更好的芯片需要更纯净的气体 - 2004 年 11 月洁净室(加密 PDF) 
  • 气体过滤与净化
  • 等离子蚀刻
  • 光刻
  • 清除颗粒和过滤器污染物 
  • 增加半导体产量 
不可用
用于微电子制造工艺的各种使用点 (POU) 惰性气体纯化技术的综合性能测试及特性描述 - 2004 年 7/8 月气体和技术 (PDF) 
  • 等离子蚀刻
  • 化学气相沉积
  • 溅射
  • 原子层沉积
  • 外延工艺
  • 提高工艺和设备的产量、一致性和可预见性
不可用 
使用下一代纯化技术消除硅烷工艺气体中的硅氧烷杂质 - 2000 年 7/8 月 Micro (PDF)  不可用 
  • 硅氧烷杂质减少
  • 膜缺陷降至先进设备所需水平
     
  • 工艺设备停机时间减少 
谨慎选择组件,减少系统占用面积和运营成本 (PDF) 
  • 等离子蚀刻工艺 
  • 占地面积更小
  • 流量更大
  • 校准次数减少
  • 使用寿命更长,更换次数更少
  • 无需额外热源
  • 基质上有额外的空余空间 
  • 资金和维护成本更低
  • 增加正常运行时间
  • 产量更高
  • 能源消耗减少
通过 CO 气体 POU 纯化,清除金属羰基化合物和水分杂质 - 2005 年 7 月固态技术(加密 PDF)
  • 蚀刻工艺 
  • 有效清除杂质
  • 提高设备产量
  • 工艺可预见性更高 
  • 提供工艺产量 
在应变硅应用的锗硅外延沉积工艺中使用使用点氢提纯时,对氧杂质含量进行 SIMS 分析 (PDF)  不可用
  • 抑制杂质在反应器中突升
  • 减少工艺和设备变化
  • 提高可预见性
  • 清除颗粒 
 
  • 提供工艺产量