Lithography Application Literature for Semiconductor Manufacturing

 
标题 相关子流程 工艺改进 产品优点 涉及产品
应用范例  
优化光刻胶过滤的过滤器选择 (PDF)
  • 193 纳米
  • 248 纳米
  • i-line 光刻胶涂层
  • 操作压力更低
  • 改进的软凝胶颗粒截留能力
  • 微泡生成减少
  • 无预湿
  • 润湿度提高
  • 减少底部抗反射涂层化学成分的锥缺陷
  • 总成本降低
 
技术文献
Microbridge reduction in negative tone imaging at photoresist point-of-use filtration(PDF)
  • 193i point-of-use photoresist filtration in both negative and positive tone imaging
  • 减少微桥缺陷
  • 产品产量增加
使用小于 30 纳米的
金纳米颗粒和保护配体的新过滤器评级方法
(PDF)
不可用
  • 降低颗粒尺寸-膜的吸引交互作用 
不可用
使用使用点过滤减少缺陷
在新涂层器/显影剂中
(PDF) 
  • Lithius Pro 涂层工具上的 193 纳米光刻胶 
  • 微桥缺陷还原率提高
  • 流体清洁度提高
  • 产品产量增加 
针对Miciobridge减少的过滤条件研究 (PDF)
  • DUV 光刻胶图案形成
  • 光刻胶聚合物溶液的使用点过滤
  • 光刻
  • 减少微桥缺陷
  • 提高微桥前体等凝胶的去除率
不可用
从光刻胶中去除金属离子
溶剂 - 1999 年微光刻大会
  • 溶剂
  • 预涂层
  • 抗蚀剂生产
  • 降低金属离子水平
  • 在通过净化光刻胶溶剂制造 0.25 微米及更细产品的过程中,减少晶片表面上的离子/金属污染
不可用 
微桥和电子测试可减少缺陷率
via improved filtration of lithography fluids
(PDF) 
  • 193 纳米光刻胶
  • 臭氧去离子水冲洗
     
  • 显著减少后光刻的微桥缺陷
  • 改善对可作为微桥缺陷前体的软凝胶状污染物的过滤 
  • 减少单行可开启 D0。
不可用 
实际用于
亚 30 纳米光刻工艺过滤器的新过滤器评级方法
 (PDF)
  • 193 纳米(干)光刻工艺 
  • 微桥缺陷消除 
不可用 
优化过滤,以降低缺陷率和改进
193 纳米 BARC 光刻的分配配方 - 2004 SPIE 大会
(PDF) 
  • 蚀刻
  • 化学机械抛光和清洁 (CMP)
     
  • 减少底部抗反射涂层材料上可见的各种缺陷
  • 改进的分配配方
  • 蚀刻后的缺陷减少
     
不可用  不可用 
减少 ArF 光刻、富士接口 2005 缺陷的相应过滤膜研究 (PDF)
  • 193 纳米光刻
  • 减少Bridging 缺陷
不可用  不可用 
有关降低先进光刻 ARCH 接口缺陷率的亚 50 纳米过滤精度2004  (PDF)
  • 蚀刻
  • 193 纳米光刻
  • 底部抗反射涂层 (BARC)
  • 降低 BARC 的缺陷率
  • 消除聚合物剪切作用或意外去除抗蚀剂中的必要成分
  • 减少 193 纳米抗蚀剂中的微桥缺陷,和 BARC 化学成分中的Cone缺陷
不可用  不可用